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电子束光刻机依靠聚焦电子束直接在光刻胶上绘制纳米图形，无需光学掩模，凭借超高分辨率，广泛用于微纳器件、量子芯片、光电子器件以及掩模板制备。但电子与光刻胶、衬底之间的散射作用，会带来难以规避的邻近效应，直接影响图形的尺寸与轮廓质量，是工艺调试中常遇到的难题。

当高能电子束入射到光刻胶层时，电子会发生两种散射：前散射和背散射。前散射发生在光刻胶内部，电子小角度偏转，让曝光区域轻微扩大；背散射是电子穿透光刻胶打到衬底材料，与衬底原子发生相互作用后反向弹回光刻胶，在距离主曝光点很远的区域释放能量。这些散射电子会让设计图形周边本不该曝光的光刻胶接收额外能量，造成非预期曝光。

在实际工艺中，邻近效应会带来多种典型缺陷。密集线条阵列会出现线宽偏大，而孤立单根线条线宽偏小，造成临界尺寸均匀性变差；图形拐角位置能量叠加，出现拐角圆化；线条末端能量不足，产生线端缩短问题。图形密度越高，这种能量叠加越明显，相同曝光剂量下，不同排布结构的实际线宽差异会持续拉大。加速电压、光刻胶厚度、衬底材料原子序数都会改变散射电子的作用范围。高原子序数衬底更容易产生背散射，会放大邻近效应；光刻胶越厚，电子散射路径更长，图形畸变也会更加明显。

针对邻近效应，行业主流采用邻近效应校正算法，通过计算机模拟电子能量分布，对不同区域的曝光剂量或者图形几何尺寸做预补偿。在绘制图形前，预先降低密集区域曝光剂量、提升孤立图形的曝光剂量，或是对图形轮廓做预变形，抵消散射带来的能量偏差。除此之外，也可以优化工艺参数，选用合适加速电压，控制光刻胶厚度，搭配低原子序数衬底，减少背散射电子的产生。部分场景还会采用 GHOST 校正法，使用低剂量的辅助曝光图形平衡周边能量。

邻近效应无法完全消除，只能通过仿真、工艺参数迭代与图形预修正进行抑制。在亚 10 纳米的精细结构制备场景，邻近效应校正的精度直接决定器件性能，工艺人员需要结合衬底类型、光刻胶体系、图形密度，反复仿真验证，才能稳定获得符合设计要求的纳米图形。